APTGT150H170G
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Full Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 250 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 890 W
- Упаковка / блок SP6
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube