APTGLQ100A120T3AG
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 185 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
- Pd - рассеивание мощности 650 W
- Упаковка / блок SP3-32
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube