APT50GF120B2RG
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 135 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 781 W
- Упаковка / блок T-Max-3
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube