APT40GP90JDQ2
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 64 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 284 W
- Упаковка / блок ISOTOP-4
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube