NXH80B120H2Q0SG
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
- Pd - рассеивание мощности 103 W
- Упаковка / блок Q0BOOST
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray