FF225R12ME4_B11
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 225 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 1.05 kW
- Упаковка / блок 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray