FF450R12ME3
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 2.1 kW
- Упаковка / блок EconoDUAL-3
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray