STGW60H65DRF - STMicroelectronics
Поставка электронных компонентов
STGW60H65DRF
STMicroelectronics
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-247
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
  • Pd - рассеивание мощности 360 W
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия STGW60H65DRF
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube