RGT16NS65DGTL
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A
- Pd - рассеивание мощности 94 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия RGT16NS65D
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel