APT45GP120J
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок SOT-227-4
- Вид монтажа Chassis Mount
- Конфигурация N-Channel
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.3 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 34 A
- Pd - рассеивание мощности 329 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube