SMMBFJ177LT1G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
SMMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-236AB
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Конфигурация Single
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 30 V
  • Ток стока при Vgs=0 - 20 mA
  • Id - непрерывный ток утечки - 1 nA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 300 Ohms
  • Pd - рассеивание мощности 225 mW
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия MMBFJ177L
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel