2N5460 TIN/LEAD
Central Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92-3
- Полярность транзистора P-Channel
- Конфигурация -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 4 V
- Ток стока при Vgs=0 -
- Id - непрерывный ток утечки 10 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Pd - рассеивание мощности 310 mW
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N5460
- Квалификация -
- Упаковка Bulk