2N5115e3
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18-3
- Полярность транзистора P-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 30 V
- Ток стока при Vgs=0 - 15 mA to - 60 mA
- Id - непрерывный ток утечки -
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 Ohms
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Bulk