SSM6N37FU,LF
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 250 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.65 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 350 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 300 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение U-MOSIII
- Упаковка Cut Tape, Reel
