SSM3J375F,LF
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок S-Mini-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 20 V
- Id - непрерывный ток утечки - 2 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 0.3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток - 4.5 V
- Qg - заряд затвора 4.6 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1.2 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение U-MOSVI
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel