SiSA26DN-T1-GE3 - Vishay / Siliconix
Поставка электронных компонентов
SiSA26DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAK-1212-8
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
  • Id - непрерывный ток утечки 60 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.15 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 16 V, - 12 V
  • Qg - заряд затвора 44 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 39 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться