SSM3K318R,LF
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23F-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 2.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 107 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.8 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 7 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение U-MOSIV
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel