SIZ200DT-T1-GE3
Vishay
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerPAIR-3x3S-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 61 A, 60 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.5 mOhms, 5.8 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток - 16 V, 20 V
- Qg - заряд затвора 28 nC, 30 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 33 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel