SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
)
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-563-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 80 mA, 720 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 240 mOhms, 300 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 350 mV, 1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, 8 V
- Qg - заряд затвора 2 nC, 1.76 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 150 mW
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение U-MOSIII / U-MOSV
- Упаковка Cut Tape, Reel