FDP053N08B-F102
ON Semiconductor / Fairchild
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 80 V
- Id - непрерывный ток утечки 120 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.3 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 65.4 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 146 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube