FCH041N65EFL4
ON Semiconductor / Fairchild
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-247-4
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
- Id - непрерывный ток утечки 76 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 41 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, 30 V
- Qg - заряд затвора 229 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 595 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение SuperFET II UniFET FRFET
- Упаковка Tube