BSD840N H6327
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 880 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 270 mOhms, 270 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 300 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
- Qg - заряд затвора 260 pC, 260 pC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel