SIZF920DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerPAIR 6x5F-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 76 A, 197 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.07 mOhms, 1.05 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток - 16 V, 20 V, - 12 V, 16 V
- Qg - заряд затвора 29 nC, 125 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 28 W, 74 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение TrenchFET; PowerPAK
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel