EFC4K105NUZTDG
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок WLCSP-10
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 22 V
- Id - непрерывный ток утечки 25 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.55 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 0.4 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
- Qg - заряд затвора 43 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2.5 W
- Конфигурация Dual Common Drain
- Канальный режим Depletion
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Reel