SSM6N56FE,LM
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок ES6-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 800 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 235 mOhms, 235 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
- Qg - заряд затвора 1 nC, 1 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 250 mW
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение U-MOSVII-H
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel