EFC2K101NUZTDG - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
EFC2K101NUZTDG
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок WLCSP-6
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
  • Id - непрерывный ток утечки 15 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.2 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 0.4 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
  • Qg - заряд затвора 16 nC
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 1.4 W
  • Конфигурация Dual Common Drain
  • Канальный режим Depletion
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться