SSM6L61NU,LF
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок UDFN-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 4 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 108 mOhms, 157 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV, 500 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 8 V, 12 V
- Qg - заряд затвора 3.6 nC, 6.74 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение U-MOSVII-H / U-MOSVI
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel