SSM6K217FE,LF
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок ES6-6
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
- Id - непрерывный ток утечки 1.8 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 400 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 500 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
- Qg - заряд затвора 1.1 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение U-MOSVII-H
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel