QPD1025L - Qorvo
Поставка электронных компонентов
QPD1025L
Qorvo
Технические характеристики
  • Тип продукта RF JFET Transistors
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI-1230-4
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Выходная мощность 1.5 kW
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Усиление 22.9 dB
  • Квалификация -
  • Упаковка Tray
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться