ZXTN25100DGQTA
Diodes Incorporated
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-223-4
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 120 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 175 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия ZXTN25100