STGWT20V60F
STMicroelectronics
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3P-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Pd - рассеивание мощности 167 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия STGWT20V60F
- Квалификация -
- Упаковка Tube