AFGHL50T65SQDC - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
AFGHL50T65SQDC
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология SiC
  • Упаковка / блок TO-247-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
  • Pd - рассеивание мощности 268 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия -
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Tube