NTJD4158CT1G
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V, 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 250 mA, 880 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.5 Ohms, 500 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV, 450 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V, - 2.5 V
- Qg - заряд затвора 0.9 nC, 2.2 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 270 mW
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel