IRF6712STRPBF
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DirectFET-SQ
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Id - непрерывный ток утечки 17 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.7 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.9 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 12 nC
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2.2 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение DirectFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel