IRF6811STRPBF
Infineon / IR
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DirectFET-SQ
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Id - непрерывный ток утечки 74 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.4 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток 16 V
- Qg - заряд затвора 11 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 32 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение DirectFET
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel