NTMFD4902NFT1G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
NTMFD4902NFT1G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок DFN-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 18.2 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 9.7 nC, 11.5 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 3.45 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться