NTMFD4901NFT1G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
NTMFD4901NFT1G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок DFN-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 13.5 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.5 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
  • Qg - заряд затвора 19.1 nC, 42.7 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 1.9 W, 2.07 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим -
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться