IPN70R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-223-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 700 V
- Id - непрерывный ток утечки 7.4 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 14.9 nC
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 5 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel