NTMFS5H425NLT1G
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-5
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
- Id - непрерывный ток утечки 118 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.8 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 14 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 69 W
- Конфигурация Single Triple Source
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Reel