Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [1]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
A1C15S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A1C15S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A1P25S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A1P25S12M3-F STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A1P35S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A1P35S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A1P50S65M2 STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
A1P50S65M2-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
A2C25S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A2C25S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A2C35S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
A2C35S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
A2C50S65M2 STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
A2C50S65M2-F STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
A2P75S12M3 STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
A2P75S12M3-F STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
STGE200NB60S STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp
STGIB10CH60S-E STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB10CH60S-L STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB10CH60TS-E STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB10CH60TS-L STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct
STGIB15CH60S-E STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB15CH60S-L STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB15CH60TS-E STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct