| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
AFGB30T65SQDN | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FS4 IGBT TO263 A | ||
|
AFGB40T65SQDN | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT | ||
|
AFGHL40T65SPD | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 40A 65 | ||
|
AFGHL50T65SQDC | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD | ||
|
AIGB15N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGB15N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGB30N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGB30N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGB40N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGB40N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGB50N65F5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
AIGW40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIGW40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIGW50N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIGW50N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES | ||
|
AIHD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES |
