|
|
STGB10H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed |
|
|
|
STGB10M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss |
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT |
|
|
|
STGB10NB40LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp |
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V |
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET |
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
|
STGB15H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
|
|
|
STGB15M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss |
|
|
|
STGB18N40LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V |
|
|
|
STGB19N40LZ |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
|
|
STGB19NC60HDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A |
|
|
|
STGB19NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
|
|
|
STGB20H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT |
|
|
|
STGB20M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
|
|
|
STGB20N40LZ |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped |
|
|
|
STGB20N45LZAG |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
|
STGB20NB41LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp |
|
|
|
STGB20NC60V |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT |
|
|
|
STGB20V60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
|
|
|
STGB20V60F |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
|
|
|
STGB25N40LZAG |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
|
STGB30H60DFB |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
|
|
|
STGB30H60DLFB |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
|
