РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом [1]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип транзистора
Технология
Усиление
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Id - непрерывный ток утечки
Выходная мощность
Максимальное напряжение сток-затвор
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
MAAM-009455-TR1000 MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
MAAM-009455-TR3000 MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
MAGX-000040-0050TP MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
NPT1010B MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN
NPT1012B MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
NPT2021 MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
NPT2022 MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
NPT25100B MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
NPTB00004A MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
NPTB00025B MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
XF1001-SC-EV1 MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module