THBT20011DRL - STMicroelectronics
Поставка электронных компонентов
THBT20011DRL
STMicroelectronics
Технические характеристики
  • Серия THBT20011
  • Тип продукта TVS Diodes
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте -
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
  • Полярность Bidirectional
  • Количество каналов -
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 200 V
  • Рабочее напряжение 180 V
  • Напряжение фиксации -
  • Iпи - пиковый импульсный ток -
  • Cd - емкость диода -
  • Упаковка / блок SO-8
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка -