MMBZ12VALFHT116 - ROHM Semiconductor
Поставка электронных компонентов
MMBZ12VALFHT116
ROHM Semiconductor
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип продукта ESD Suppressors
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте 30 kV
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо30 kV
  • Полярность Unidirectional
  • Количество каналов 2 Channel
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 11.4 V
  • Рабочее напряжение 8.5 V
  • Напряжение фиксации 17 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 2.35 A
  • Cd - емкость диода 85 pF
  • Упаковка / блок SOT-23-3
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel