DF2B26M4SL,L3F - Toshiba
Поставка электронных компонентов
DF2B26M4SL,L3F
Toshiba
Технические характеристики
  • Серия DF2B26M4SL
  • Тип продукта TVS Diodes
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте 15 kV
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо15 kV
  • Полярность Bidirectional
  • Количество каналов 1 Channel
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 21 V
  • Рабочее напряжение 24 V
  • Напряжение фиксации 31.5 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 500 mA
  • Cd - емкость диода 0.3 pF
  • Упаковка / блок SOD-962-2
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности 19 W
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel