SZNUP1105LT1G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
SZNUP1105LT1G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Серия NUP1105L
  • Тип продукта ESD Suppressors
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте 30 kV
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
  • Полярность Bidirectional
  • Количество каналов 1 Channel
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 25.7 V
  • Рабочее напряжение 24 V
  • Напряжение фиксации 44 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 8 A
  • Cd - емкость диода 60 pF
  • Упаковка / блок SOT-23-3
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности 350 W
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация AEC-Q100
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться