VNS3NV04DP-E - STMicroelectronics
Поставка электронных компонентов
VNS3NV04DP-E
STMicroelectronics
Технические характеристики
  • Продукт MOSFET Gate Drivers
  • Тип Low Side
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SO-8
  • Количество драйверов -
  • Количество выходов -
  • Выходной ток -
  • Конфигурация Dual
  • Время нарастания 250 ns
  • Время спада 250 ns
  • Напряжение питания - мин. 40 V
  • Напряжение питания - макс. 55 V
  • Задержка распространения - макс. -
  • Рабочий ток источника питания 100 uA
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия VNS3NV04DP-E
  • Квалификация AEC-Q100
  • Упаковка Tube