NCV5701BDR2G
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT, MOSFET Gate Drivers
- Тип Half-Bridge
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOIC-8
- Количество драйверов 1 Driver
- Количество выходов -
- Выходной ток 5 A
- Конфигурация -
- Время нарастания 9.2 ns
- Время спада 7.9 ns
- Напряжение питания - мин. 5.5 V
- Напряжение питания - макс. 35 V
- Задержка распространения - макс. 70 ns
- Рабочий ток источника питания 900 uA
- Pd - рассеивание мощности 700 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия -
- Квалификация AEC-Q100
- Упаковка Reel