GB20SLT12-220 - GeneSiC Semiconductor
Поставка электронных компонентов
GB20SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
Технические характеристики
  • Продукт Schottky Silicon Carbide Diodes
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-220-2
  • If - прямой ток 20 A
  • Vrrm - повторяющееся обратное напряжение 1.2 kV
  • Vf - прямое напряжение 1.9 V
  • Ifsm - ударный прямой ток 140 A
  • Конфигурация Single
  • Технология SiC
  • Ir - обратный ток 163 uA
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия GB20SLT12
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться